7月29日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统”的专利，授权公告号CN122047157B，授权公告日为2026年7月28日。申请公布号为CN122047157A，申请号为CN202610475734.8，申请公布日期为2026年7月28日，申请日期为2026年4月13日，发明人杨杰、郭哲劭、郭廷晃，专利代理机构上海汉之律师事务所，专利代理师刘晓倩，分类号G06F30/392、G06F115/12。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统，属于半导体技术领域。所述版图设计方法包括：获取半导体芯片的版图数据文件，并从所述版图数据文件中提取包含栅极结构的栅极层文件和自对准金属硅化物层文件；根据所述自对准金属硅化物层文件和所述栅极层文件生成伪栅极信息；根据所述伪栅极信息生成金属高阻层文件，且形成的金属高阻层覆盖在伪栅极上。通过本发明，能够确保金属高阻层文件中金属高阻层的位置和伪栅极及伪栅极所在的有源区的位置重叠，实现版图和制造工艺的兼容性，从而提高制造良率。
作为国内领先的12英寸晶圆代工服务商，晶合集成深耕显示驱动芯片领域，具备差异化工艺技术壁垒。公司成立于2015年5月19日，于2023年5月5日登陆上海证券交易所，注册地与办公地均涵盖安徽省合肥市，同时在香港设有办公点位。
晶合集成核心业务为12英寸晶圆代工，持续研发落地行业先进工艺，可向客户提供覆盖多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司申万行业分类为电子-半导体-集成电路制造，同时布局MCU概念、集成电路、半导体产业相关热门赛道。
2025年，晶合集成实现营业收入108.85亿元，在所属7家集成电路制造可比企业中排名第4，该赛道当期营收第一名中芯国际为673.23亿元、第二名华虹宏力为172.91亿元，行业平均营收166.12亿元，公司营收与行业中位数持平；同期实现净利润4.66亿元，同样位列行业第4，行业净利润榜首中芯国际达72.09亿元、第二名赛微电子为13.88亿元，行业平均净利润9.67亿元，公司净利润亦与行业中位数持平。业务结构方面，集成电路晶圆制造代工贡献营收103.57亿元，占总营收比重95.14%，其余营收分别来自其他补充业务（4.97亿元，占比4.57%）及其他零散业务（3176.68万元，占比0.29%）。
指标类别
具体项目
2025年数值
行业排名/总样本数
元股证券:ygzq.hk行业头部企业数值
行业平均数
行业中位数
营业收入
总营收
108.85亿元
中芯国际673.23亿元、华虹宏力172.91亿元
166.12亿元
108.85亿元
配资炒股指南净利润
归母净利润
4.66亿元
中芯国际72.09亿元、赛微电子13.88亿元
9.67亿元
4.66亿元
主营业务构成
集成电路晶圆制造代工
103.57亿元，占比95.14%
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主营业务构成
其他(补充)
4.97亿元，占比4.57%
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主营业务构成
其他
3176.68万元，占比0.29%
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合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种背照式图像传感器晶圆键合方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202610976510.52026-07-02CN122476835A2026-07-28沈娅、许超、杨少华2测量混合键合强度的方法、监测机台稳定性的方法及系统发明专利公布CN202610970010.02026-07-01CN122476885A2026-07-28伍德超、陶磊、梁健3一种背照式图像传感器及其制作方法发明专利公布CN202610968214.02026-07-01CN122476695A2026-07-28张庆庆、谢荣源、宋明明、温海龙4半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610967959.52026-07-01CN122476654A2026-07-28周同、王维安、程洋5一种金属硅化物的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610966312.02026-07-01CN122476658A2026-07-28刘苏涛6一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610966313.52026-07-01CN122476669A2026-07-28李燕、宋富冉、王淑娜、刘乃硕7半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959576.32026-06-30CN122476903A2026-07-28魏榕、沐凡、韩壮壮、季小龙、张正8半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959724.12026-06-30CN122476904A2026-07-28马亚强、张正、季小龙、韩壮壮、魏榕9一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610953205.42026-06-30CN122476657A2026-07-28江道、林豫立、刘哲儒10一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器发明专利公布CN202610941777.02026-06-29CN122476834A2026-07-28伍德超、郝小强11曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞12晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲13光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康14半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明15一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰16一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳17半导体器件及其制备方法、芯片发明专利公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃18一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛19一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成20一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙21半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕22半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰23文本识别方法、系统及存储介质发明专利公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞24一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿25一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康26晶圆的量测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智27一种半导体结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮28半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥29用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩30缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕31一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波32半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪33干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强34MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然35半导体结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧36晶圆清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平37半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪38栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先39一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610729686.02026-05-26CN122341196A2026-07-03李文超、杨智强、林子荏、张旭40半导体器件的外延层结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕41安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小42图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛43接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕44半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕45半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞46一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩47集成功率器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全48一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平49检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬50一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳广州配资平台推荐
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